放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価
Bibliographic Information
- Other Title
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- ホウデン デンリュウ カト ブンコウホウ オ モチイタ ギセイ サンカ ショリ サレタ コウジュンド ハンゼツエンセイ 4H-SiC ノ ケッカン ヒョウカ
- Evaluation of Intrinsic Defects in Sacrificial Oxidized High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111 (357), 23-28, 2011-12-16
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572358893567232
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- NII Article ID
- 10031112337
- 110009466977
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 023370623
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles