招待講演 (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性
Bibliographic Information
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- ショウタイ コウエン 100 オヨビ 110 キバン ジョウ ノ eSiGe ニ ヨル ヒズミ Si チャネル オ ユウスル Metal High k Gate Stack MOSFET ノ デバイス トクセイ
- IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- IEDM トクシュウ センタン CMOS デバイス プロセス ギジュツ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (504), 5-8, 2007-01-26
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572359065659264
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- NII Article ID
- 110006202255
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 8639920
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles