弱反転領域動作MOSFETの温度特性のモデル化
書誌事項
- タイトル別名
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- ジャク ハンテン リョウイキ ドウサ MOSFET ノ オンド トクセイ ノ モデルカ
- Modeling of MOSFET temperature characteristics in the subthreshold region operation
- 電子回路研究会・電子回路一般
- デンシ カイロ ケンキュウカイ ・ デンシ カイロ イッパン
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. ECT = The papers of technical meeting on electronic circuits, IEE Japan / 電子回路研究会 [編]
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電気学会研究会資料. ECT = The papers of technical meeting on electronic circuits, IEE Japan / 電子回路研究会 [編] 2019 (48-50・52-67), 5-8, 2019-09
東京 : 電気学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572360002252160
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- NII論文ID
- 40022033558
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- NII書誌ID
- AN10441815
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- NDL書誌ID
- 030008868
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles