1.2kV SiCトレンチゲートMOSFET
書誌事項
- タイトル別名
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- 1.2kV SiC トレンチゲート MOSFET
- 1.2-kV SiC Trench MOSFET
- 特集 エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体
- トクシュウ エネルギーマネジメント ニ コウケン スル パワー ハンドウタイ
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収録刊行物
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- 富士電機技報 = Fuji Electric journal
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富士電機技報 = Fuji Electric journal 89 (4), 234-237, 2016-12
東京 : 富士電機技術開発本部 ; 2012-
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520573328565488000
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- NII論文ID
- 40021089606
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- NII書誌ID
- AA12576063
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- ISSN
- 21871817
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- NDL書誌ID
- 027965558
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
