分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング--SiO2/Si界面との違い
Bibliographic Information
- Other Title
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- ブンシ ドウリキガクホウ ニ ヨル GeO2 Ge カイメン ノ モデリング SiO2 Si カイメン トノ チガイ
- Atomistic modeling of GeO2/Ge interface structure by molecular dynamics: comparison with SiO2/Si interface
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (87), 3-8, 2009-06-19
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853832715636992
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- NII Article ID
- 110007340833
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 10274645
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
