Spatially varied orientation selective epitaxial growth of (100) and (110) CeO2 layers on Si(100) substrates using absorbed electron imaging system
書誌事項
- タイトル別名
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- Spatially varied orientation selective epitaxial growth of 100 and 110 CeO2 layers on Si 100 substrates using absorbed electron imaging system
- 吸収電流像観察システムを用いて空間的に分離して方位選択エピタキシャル成長させたSi(100)基板上の(100)と(110)CeO2層の形成
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収録刊行物
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- いわき明星大学科学技術学部研究紀要 = Research bulletin of Iwaki Meisei University College of Science and Engineering
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いわき明星大学科学技術学部研究紀要 = Research bulletin of Iwaki Meisei University College of Science and Engineering (24), 1-8, 2011-03
いわき : いわき明星大学科学技術学部研究紀要編集委員会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853832734106112
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- NII論文ID
- 40018855930
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- NII書誌ID
- AA12144637
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- ISSN
- 18806813
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- NDL書誌ID
- 11128278
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM2(科学技術--科学技術一般--大学・研究所・学会紀要)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles