活性水素援用CVD法によるGaAsの原子層エピタキシー
書誌事項
- タイトル別名
-
- カッセイ スイソ エンヨウ CVDホウ ニヨル GaAs ノ ゲンシソウ エピ
この論文をさがす
説明
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
-
- レーザー科学研究 / 理化学研究所 編
-
レーザー科学研究 / 理化学研究所 編 (18), 9-11, 1996-09
和光 : 理化学研究所
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520853833116299392
-
- NII論文ID
- 40004513749
-
- NII書誌ID
- AN0035159X
-
- ISSN
- 02898411
-
- NDL書誌ID
- 4045752
-
- 本文言語コード
- ja
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZM35(科学技術--物理学)
-
- データソース種別
-
- NDLサーチ
- CiNii Articles