モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算
書誌事項
- タイトル別名
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- モンテカルロホウ ニ ヨル SiC エ ノ 3ジゲン フジュンブツ イオン チュウニュウ ケイサン
- Three-dimensional calculation of ion implantation to SiC substrate
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (291), 13-18, 2014-11
東京 : 電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853833802062848
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- NII論文ID
- 110009971782
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 025980576
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles