書誌事項
- タイトル別名
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- オウヨウ ブツリ ガッカイ ギョウセキショウ ジュショウシャ ズイソウ ビサイ MOSFET ノ コウデンカイ コウカ ト ソシ コウゾウ シンライセイ ブツリ ノ ケンキュウ
- High field effects and device structures in scaled MOSFETs: reliability physics
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収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 79 (7), 642-645, 2010-07
東京 : 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853833998400256
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- NII論文ID
- 10026798196
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 10764565
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles