電荷基準モデルに基づく縦型SiCパワーMOSFETのトランジスタモデル
書誌事項
- タイトル別名
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- デンカ キジュン モデル ニ モトズク タテガタ SiC パワー MOSFET ノ トランジスタモデル
- A Charge-Based Transistor Model for SiC Power VDMOSFET
- 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
- デンシ デバイス ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ ・ パワーデバイス ・ パワーエレクトロニクス ト ソノ ジッソウ ギジュツ
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
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電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2015 (146-168), 107-112, 2015-10-29
東京 : 電気学会
