p形MOSFETとnpnトランジスタを同一Nウェル内に形成したN+埋込層給電形Bi-CMOS論理回路の検討
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- pガタ MOSFET ト npn トランジスタ オ ドウイツ N ウェルナイ
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記事分類: 電気工学--電子工学--集積回路
Journal
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- 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編
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電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 74 (7), p590-597, 1991-07
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853835215650688
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- NII Article ID
- 40004789174
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- NII Book ID
- AN10071294
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- ISSN
- 09151907
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- NDL BIB ID
- 3730553
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
