Low-Leakage-Current Enhancement-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Using p-Type Gate Contact
書誌事項
- タイトル別名
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- Low Leakage Current Enhancement Mode AlGaN GaN Heterostructure Field Effect Transistor Using p Type Gate Contact
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
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Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 45 (8-11), L319-321, 2006
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520854805556327168
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- NII論文ID
- 10018158654
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- NII書誌ID
- AA11906093
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 7864217
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
