高温水素アニールにより4H-SiC MOSFETの界面準位密度の低減/チャネル移動度の向上に成功

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  • コウオン スイソ アニール ニ ヨリ 4H SiC MOSFET ノ カイメン ジュンイ ミツド ノ テイゲン チャネル イドウド ノ コウジョウ ニ セイコウ

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コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 独立行政法人

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