高温水素アニールにより4H-SiC MOSFETの界面準位密度の低減/チャネル移動度の向上に成功
書誌事項
- タイトル別名
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- コウオン スイソ アニール ニ ヨリ 4H SiC MOSFET ノ カイメン ジュンイ ミツド ノ テイゲン チャネル イドウド ノ コウジョウ ニ セイコウ
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説明
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 独立行政法人
収録刊行物
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- 電総研ニュース = ETL news / 工業技術院電子技術総合研究所 編
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電総研ニュース = ETL news / 工業技術院電子技術総合研究所 編 610 6-10, 2000-11
つくば : 工業技術院電子技術総合研究所
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1521136280085320448
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- NII論文ID
- 40002559721
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- NII書誌ID
- AN00354984
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- ISSN
- 0011846X
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- NDL書誌ID
- 5629845
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
