SiC基板上に作製した窒化物半導体デバイスの現状と将来
書誌事項
- タイトル別名
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- SiC キバン ジョウ ニ サクセイ シタ チッカブツ ハンドウタイ デバイス ノ ゲンジョウ ト ショウライ
- 特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術
- トクシュウ ジ セダイ ハンドウタイ デバイス ト シテ ノ SiCタンケッショウ オ モチイタ オプトメカトロニクス ギジュツ
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収録刊行物
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- 光技術コンタクト = Optical and electro-optical engineering contact
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光技術コンタクト = Optical and electro-optical engineering contact 44 (12), 699-708, 2006-12
東久留米 : 光学工業技術協会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1521136280407454464
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- NII論文ID
- 40015223193
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- NII書誌ID
- AN10075091
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- ISSN
- 09137289
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- NDL書誌ID
- 8618849
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles
