Surface Passivation of GaSb(100) Using Molecular Beam Epitaxy of Y₂O₃ and Atomic Layer Deposition of Al₂O₃ : A Comparative Study

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1521136280996598400

• NII論文ID

  40019923224

• NII書誌ID

  AA12295133

• ISSN

  18820778

• NDL書誌ID

  025108258

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/025108258

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025108258

• 本文言語コード

  en

• NDL 雑誌分類

  • ZM35(科学技術--物理学)

• データソース種別

  • NDL
  • CiNii Articles