特集関連インタビュー IGBT発展を支えた要因を分析、ワイドバンドギャップ半導体を含めた今後のパワーデバイスの展望を語る 高耐圧大容量分野のパワーデバイス発展を支える力/東芝 研究開発センター 中川明夫氏・四戸孝氏に聞く
書誌事項
- タイトル別名
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- トクシュウ カンレン インタビュー IGBT ハッテン オ ササエタ ヨウイン オ ブンセキ ワイドバンドギャップ ハンドウタイ オ フクメタ コンゴ ノ パワーデバイス ノ テンボウ オ カタル コウタイアツ ダイ ヨウリョウ ブンヤ ノ パワーデバイス ハッテン オ ササエル チカラ トウシバ ケンキュウ カイハツ センター ナカガワアキオ シ シノヘ タカシ シ ニ キク
- 特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで
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収録刊行物
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- 電子技術
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電子技術 45 (10), 2-6, 2003-08
東京 : 日刊工業新聞社
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1521699229749704192
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- NII論文ID
- 40005875031
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- NII書誌ID
- AN00152888
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- ISSN
- 03668819
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- NDL書誌ID
- 6641614
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles