Crack-free, highly conducting GaN layers on Si substrates by Ge doping
書誌事項
- タイトル別名
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- Crack free highly conducting GaN layers on Si substrates by Ge doping
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収録刊行物
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- Applied physics express : APEX
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Applied physics express : APEX 4 (1), 011001-, 2011-01
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1522262180124625536
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- NII論文ID
- 10027782236
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- NII書誌ID
- AA12295133
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- ISSN
- 18820778
- 18820786
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- NDL書誌ID
- 10947780
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- Crossref
- CiNii Articles