Electrical Properties of Ultrathin SiO₂ Layer Deposited at 50℃ by Inductively Coupled Plasma-Enahnced Chemical Vapor Deposition

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1522262180675057152

• NII論文ID

  10030155171

• NII書誌ID

  AA12295133

• ISSN

  18820778

• NDL書誌ID

  023454278

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/023454278

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023454278

• 本文言語コード

  en

• NDL 雑誌分類

  • ZM35(科学技術--物理学)

• データソース種別

  • NDL
  • CiNii Articles