縦型CVD炉における4H-SiCエピタキシャル層の成長と電気特性
書誌事項
- タイトル別名
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- タテガタ CVDロ ニ オケル 4H SiC エピタキシャルソウ ノ セイチョウ ト デンキ トクセイ
- シリコンカーバイド素子
- シリコンカーバイド ソシ
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収録刊行物
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- FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編]
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FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編] 12 (3), 17-20, 2001
東京 : 新機能素子研究開発協会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1522543655318443136
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- NII論文ID
- 40005685871
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- NII書誌ID
- AN10190078
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- ISSN
- 09182772
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- NDL書誌ID
- 6456083
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles