スパッタ堆積法によるSi/Geの低温高速エピタキシャル成長と太陽電池応用
書誌事項
- タイトル別名
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- スパッタ タイセキホウ ニ ヨル Si/Ge ノ テイオン コウソク エピタキシャル セイチョウ ト タイヨウ デンチ オウヨウ
- 材料開発最前線 : 新しく登場した太陽電池素材
- ザイリョウ カイハツ サイゼンセン : アタラシク トウジョウ シタ タイヨウ デンチ ソザイ
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収録刊行物
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- 未来材料 = Expected materials for the future
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未来材料 = Expected materials for the future 12 (12), 21-25, 2012-12
東京 : エヌ・ティー・エス
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1522825130938551808
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- NII論文ID
- 40019523846
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- NII書誌ID
- AA11501273
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- ISSN
- 13460986
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- NDL書誌ID
- 024151479
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM1(科学技術--科学技術一般)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles