Control of Mg content and carrier concentration via post annealing under different Mg pressures for Sb-doped Mg₂Si thermoelectric material

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1522825131022275584

• NII論文ID

  40022066657

• NDL書誌ID

  030077682

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/030077682

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030077682

• 本文言語コード

  en

• NDL 雑誌分類

  • ZP33(科学技術--繊維工学・工業)

• データソース種別

  • NDLサーチ
  • CiNii Articles