GaAs(00l)エピタキシャル成長の原子スケール・シミュレーション
書誌事項
- タイトル別名
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- GaAs 00l エピタキシャル セイチョウ ノ ゲンシ スケール シミュレーション
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収録刊行物
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- 固体物理 / アグネ技術センター [編]
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固体物理 / アグネ技術センター [編] 36 (7), 420-434, 2001-07
東京 : アグネ技術センター
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1523388080374249216
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- NII論文ID
- 40001389934
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- NII書誌ID
- AN00092629
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- ISSN
- 04544544
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- NDL書誌ID
- 5821647
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles