世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード
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- 特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで
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Journal
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- 電子技術
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電子技術 45 (10), 13-15, 2003-08
東京 : 日刊工業新聞社
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1523388080501133312
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- NII Article ID
- 80016026739
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- NII Book ID
- AN00152888
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- ISSN
- 03668819
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- NDL BIB ID
- 6641648
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
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