論文紹介 Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(100) substrate using ultra thin Si0.5Ge0.5 buffer

Details 詳細情報について

• CRID

  1523951029748231424

• NII Article ID

  40007345826

• ISSN

  18807968

• NDL BIB ID

  7989295

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/7989295

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7989295

• Text Lang

  en

• NDL Source Classification

  • ZM5(科学技術--科学技術一般--工学・工業)

• Data Source

  • NDL Search
  • CiNii Articles