次世代高誘電率ゲート絶縁膜HfSiONのしきい値劣化機構と寿命予測技術
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- ジセダイ コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク HfSiON ノ シキイチ レッカ キコウ ト ジュミョウ ヨソク ギジュツ
- Degradation mechanism and lifetime projection of HfSiON as alternative high-k gate dielectric
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- 東芝レビュー = Toshiba review / 東芝ビジネスエキスパート株式会社ビジネスソリューション事業部 編集・制作
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東芝レビュー = Toshiba review / 東芝ビジネスエキスパート株式会社ビジネスソリューション事業部 編集・制作 62 (7), 43-47, 2007-07
東京 : 東芝技術企画部
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1524232505579183616
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- NII Article ID
- 40015584564
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- NII Book ID
- AN00166099
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- ISSN
- 03720462
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- NDL BIB ID
- 8901129
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
