ノーマリーオン型GaN HEMTとノーマリーオフ型Si MOSFET+GaN HEMTカスコードデバイスのスイッチング特性評価
書誌事項
- タイトル別名
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- Evaluation on switching characteristics of GaN HEMT and Si MOSFET+GaN HEMT cascode device
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会
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電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2012 (59), 1-6, 2012-10-25
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570291226228087552
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- NII論文ID
- 10031118325
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- NII書誌ID
- AN1044178X
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles