Reading Method of NAND Type 1-Transistor FeRAM with Pulse Input

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  • 積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの読出し方式の検討

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本論文では強誘電体を用いた積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMを提案し,読出し時に通過メモリセルのゲートにパルス入力を印加する方式が高速読出しに有効であることを示した.通過メモリのゲートに分極反転が起きない短時間の高電圧パルスを印加することにより,フラッシュメモリと同程度以上の積層数(16)と数十ns以下の高速読出し時間を実現できる.

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  • CRID
    1570291227639712640
  • NII Article ID
    110007380078
  • NII Book ID
    AA11412446
  • ISSN
    13452827
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • CiNii Articles

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