書誌事項
- タイトル別名
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- Reading Method of NAND Type 1-Transistor FeRAM with Pulse Input
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説明
本論文では強誘電体を用いた積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMを提案し,読出し時に通過メモリセルのゲートにパルス入力を印加する方式が高速読出しに有効であることを示した.通過メモリのゲートに分極反転が起きない短時間の高電圧パルスを印加することにより,フラッシュメモリと同程度以上の積層数(16)と数十ns以下の高速読出し時間を実現できる.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C
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電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 91 (11), 668-669, 2008-11-01
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570291227639712640
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- NII論文ID
- 110007380078
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- NII書誌ID
- AA11412446
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- ISSN
- 13452827
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles
