書誌事項
- タイトル別名
-
- Growth of Oxide Film on cu Contact Surface and Contact Reliability
この論文をさがす
説明
銅(Cu)の加熱酸化によって生ずる酸化皮膜(Cu_2O+CuO)の成長を、膜厚の点から、室温から300℃までの温度範囲で詳細に調べた。酸化時間、酸化温度、および皮膜の3者の関係から酸化皮膜の成長則を求めた。その結果、100℃付近を境として、それより低温度域では、酸化に初期は2乗則で、中期以降は順次に3乗則、4乗則と変化し、また、高温度域では、初期は直線則で、中期以降は順次2乗則、3乗則と変化した。また、この温度を境として活性化エネルギー等の酸化の定数も変化することが判明し、このことから、この温度を境として酸化反応の機構が異なることを推論した。さらに、接触抵抗の測定結果から、上記の低温度域では温度の影響は低く、この温度を超えると、著しく接触抵抗が増大することが明かとなった。
収録刊行物
-
- 電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス
-
電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス 95 (51), 7-12, 1995-05-19
一般社団法人電子情報通信学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1570572702385511680
-
- NII論文ID
- 110003293300
-
- NII書誌ID
- AN10383978
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- CiNii Articles