Si上ヘテロエピタキシャル成長InAlAs/InGaAs MSM受光素子の作製

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タイトル別名
  • Fabrication of InAlAs/InGaAs MSM Photodetectors on Si substrates

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説明

Si基板上に、高品質InPヘテロエピタキシャル膜を介して、InP格子整合系InAlAs, InGaAs MSM(金属-半導体-金属)フォトダイオード(PD)を作製し、暗電流10^-8>A及び感度0.1A/Wという、InP基板上同一構造素子とほぼ同等の静特性が得られることを示した。また、Si上MSMは、立上り時間30〜150ps,立下り時間300〜700ps及びパルス幅150〜600psのパルス応答を示す。以上の静及び動特性は、従来のSi上InGaAs系MSM-PDと比較して、低暗電流及び高速応答の特徴を兼ね備えている。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570572702403218560
  • NII論文ID
    110003200329
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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