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Stoichiometry Control of A〓Nx on DC Bias Voltage in RF-DC Coupled Magnetron Sputtering
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- Okamoto T
- Faculty of Engineering. Hiroshima Institute of Technology
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- Higashi T
- Faculty of Engineering. Hiroshima Institute of Technology
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- Mineoka K
- Faculty of Engineering. Hiroshima Institute of Technology
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- Tanaka T
- Faculty of Engineering. Hiroshima Institute of Technology
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- Kawabata K
- Faculty of Engineering. Hiroshima Institute of Technology
Bibliographic Information
- Other Title
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- RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるA〓Nx薄膜の組成制御
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Description
前報においてRF-DC結合形マグネトロンスパッタ法は、ターゲットに印加するDC電圧により、金属薄膜(W,Mo)の堆積速度が容易に制御可能なことを明らかにした。近年AlNは絶縁性に優れ熱伝導性が高く、広い波長域にわたって透明であることから、電子光機能材料として注目される。本研究ではRF-DC結合形マグネトロンスパッタ法の特徴を利用して、反応スパッタによりAlNx薄膜の堆積速度及び組成制御を試みたので、その結果について親告する。
Journal
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- Proceedings of the Society Conference of IEICE
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Proceedings of the Society Conference of IEICE 1995 (2), 30-, 1995-09-05
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1570854177405978880
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- NII Article ID
- 110003342395
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- NII Book ID
- AN10489017
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- CiNii Articles