MOSFETの特性に及ぼす速度飽和領域の影響

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タイトル別名
  • Effects of the velocity-saturated region on MOSFET Characteristics

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説明

MOSFETの飽和ドレイン、チャネル長、ゲートバイアスとの間に成り立つ単純かつ普遍的な関係を見いだした。この関係は簡単なモデルにより記述することができ、その妥当性をシミュレーションにより確認した。モデルによると、速度飽和領域の長さL_SAT>は移動度や飽和速度と同様、素子性能に大きく影響する。例えば、短チャネル効果の抑制はL_SAT>の縮小を伴うため、スケーリング時にLの縮小による電流の増大効果はほとんど減殺される。このため、駆動能力向上は概ねゲート緑縁膜の薄膜化のみによってもたらされる。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570854177461300736
  • NII論文ID
    110003310202
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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