リモートプラズマCVD法によるTDMASからのSiN薄膜の堆積

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タイトル別名
  • Preparation of SiN thin films by remote plasma CVD method using TDMAS

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説明

有機シリコン原料のトリスジメチルアミノシラン((SiH(N(CH_3)_2)_3、TDMAS)を用い、リモートプラズマCVD法によりSiN薄膜を堆積した。基板温度が低い場合、炭素を多く含んだ薄膜が得られ、400℃以上に加熱することによって、薄膜中には窒素が多く取り込まれるようになった。堆積させた薄膜の屈折率は1.4〜1.7の範囲になった。このことより、堆積膜はSiON膜であると思われる。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570854177466847232
  • NII論文ID
    110003309349
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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