FT-IR-ATR,FT-IR-RASを用いたSi自然酸化膜成長過程の観察
書誌事項
- タイトル別名
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- Observation of Sinative oxide growth using FT-IR-ATR and FT-IR-RAS
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説明
フーリエ赤外分光(Fourier-transformInfrared Spectroscopy)のATR(Attenuated Total Reflection)法とRAS(Reflection Absorption Spectroscopy)法を用いて、原子レベルで平坦化したSi(111)面に水中酸化により自然酸化膜が成長する様子を観察した。ATR法ではSi-H結合のRAS法ではSi-O結合の変化を観察した。酸化に際し、ステップ・エッジのテラス部分に対する優先性は認められなかった。また、酸化初期状態のRASスペクトル形状とその酸化時間に対する変化は、表面に島状に析出した酸化物があると仮定すると説明できた。これは、酸化はLayer-by-layerではなく島状に進行する事を示唆する。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 93 (7), 43-50, 1993-04-22
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570854177467475968
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- NII論文ID
- 110003309927
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles