窒化アルミニウムへのメタライズ技術
書誌事項
- タイトル別名
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- Metallizaition Technique for Aluminum Nitride
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説明
半導体素子の高集積化・高消費電力化にともない、素子の発熱量が増大するため、半導体素子を搭載する基板には、放熱性の高い基板が必要とされてきた。窒化アルミニウムは一般的に基板に用いられているアルミナに比較して、10倍の熱伝導率を有するために、高消費電力半導体素子搭載用の基板として注目を集めている。セラミックス材料を基板として用いる際に必須のメタライズ技術に関し報告する。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス 96 (363), 25-30, 1996-11-15
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1571135652339718400
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- NII論文ID
- 110003293227
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- NII書誌ID
- AN10383978
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles
