Embedded DRAM 技術 : DRAMはASICに溶け込む

被引用文献6件 参考文献3件
  • 安部 慶一郎
    日本テキサスインスツルメンツ(株)美浦工場デザインセンター
  • 橋本 征史
    日本テキサスインスツルメンツ(株)美浦工場デザインセンター

書誌事項

タイトル別名
  • Embedded DRAM Technology : DRAM merges to ASIC

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説明

汎用DRAM製造技術を使わず、ASIC向けのCMOS製造技術で試作した、高速DRAMについて述べる。今回試作したDRAMは、従来型の3T1C型ではなく、汎用DRAMで採用されている、1T1C型で設計開発を行った。0.5umのASIC製造技術を使い製造行程を変えることなく、80%以上の歩留を示した。また、ユニークな高速メモリアーキテクチャの採用で、最大200MB/sの高速データ転送速度も得られる。最終的に、ASIC設計環境下で顧客が自由に使えるような、DRAMライブラリ化の可能性を確認した。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571135652436154752
  • NII論文ID
    110003316546
  • NII書誌ID
    AN10013276
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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