GaAs 基板上の MIM(Metal Insulator Metal) キャパシタへの重粒子照射

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タイトル別名
  • Heavy Ion Irradiation Effect of MIM Capacitor on GaAs Substrate

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説明

マルチメディア通信衛星のニーズの高まりに伴いマイクロ波通信のキーデバイスである宇宙用GaAs MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)の信頼性の重要度が増している.これまで, 筆者らを含めGaAs MMICのγ線, X線等の電離放射線の耐性に関する報告はあるが, 重粒子が照射されたときの影響についての調査は少ない.特に今回は, MMICの構成要素として重要な部品であるGaAs基板上のMIMキャパシタに関して重粒子照射中の耐圧及びTDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)寿命を評価した.この結果, 重粒子照射中にMIMの絶縁耐圧が大きく低下することがわかった.しかし, 低電圧時のTDDB寿命の低下はほとんどないことが予測される結果を得た.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571135652444531584
  • NII論文ID
    110003301978
  • NII書誌ID
    AN10013243
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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