酸窒化極薄シリコン酸化膜の成長機構

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タイトル別名
  • Growth Kinetics of Ultrathin Oxynitrided Silicon Dioxide Films

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説明

N_2OおよびNOガス雰囲気中、酸化時間と酸化温度を変化させて極薄酸窒化SiO_2酸化膜を形成した。酸窒化膜の成長は、DealとGroveにより提唱された直線二乗則におおむね従っていることが分かった。これらの酸化膜の化学エッチングプロファイルでは、バルク酸化膜に比べ、SiO_2/Si界面付近でエッチング速度速度の低下が見られた。このことは、SiO_2/Si界面近傍で窒素濃度の高い層が存在していることを示している。酸化モデルから、酸化初期では、N_2OあるいはNO分子がシリコン表面と直接速い反応を引き起こすが、酸化が進行するにつれて界面での窒素リッチ層のため酸化種の拡散が抑止されることが明らかとなった。この傾向は、N_2O酸窒化膜よりもNO酸窒化膜の方がより顕著に現われた。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571417127329326976
  • NII論文ID
    110003199116
  • NII書誌ID
    AN10012932
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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