広帯域、低電圧GaAs演算増幅器
書誌事項
- タイトル別名
-
- Design of Wide Bandwidth,Low Voltage GaAs Operational Amplifiers
この論文をさがす
説明
0.5μm GaAs MESFET技術を用いて、2種類の低電圧動作、広帯域演算増幅器(高利得形と高速形)を設計した。回路構成は両者ともまったく同一だが、新しい差動増幅回路の開発とFETサイズの最適化により、高利得形と高速形を得た。高利得形の開ループ利得A_0は62.1dB、単位利得周波数f_Tは1.54GHz、同相除去比CMRRは63.1dB、消費電力Pは131mWであった。一方、高速形のA_0は57.5dB、f_Tは1.86GHz、CMRRは61.9dB、Pは172mWであった。電源電圧はいずれも±1Vである。
収録刊行物
-
- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
-
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 93 (415), 15-22, 1994-01-19
一般社団法人電子情報通信学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1571417127332645888
-
- NII論文ID
- 110003200458
-
- NII書誌ID
- AN10012954
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- CiNii Articles