RuO2ドライエッチングにおける塩素添加効果 : 導電性酸化膜から成るGbクラスDRAM容量電極の微細加工方法

参考文献15件
  • 渡嘉敷 健
    NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
  • 佐藤 聖幸
    NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
  • 宮本 秀信
    NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

書誌事項

タイトル別名
  • Effect of Cl2 Addition to O2 Plasma on RuO2 Etching : Quarter micron size dry etching of RuO2 thin films for Gb DRAMs

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説明

RuO2のドライエッチングにおいて酸素ガスに微量の塩素ガスを添加することで、エッチレートが急激に増加する現象を見いだした。この増加現象を調べた結果、エッチングはイオンアシスト反応によって進行するが、その反応確率は塩素添加プラズマのほうが酸素プラズマに比べ高いことがわかった。さらに、X線光電子分光法(XPS)を用いたin-situ表面分析により、塩素の添加率が75%と高添加率にも関わらず、表面上のCl2p相対強度比は5%以下と極めて低いこと及び表面はRuO2に近い状態を保持していることが判明した。

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参考文献 (15)*注記

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571417127419442816
  • NII論文ID
    110003309795
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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