256Mフラッシュメモリ用0.54μm^2 SAHF (Self-Aligned HSG Floating gate) セル

参考文献6件

書誌事項

タイトル別名
  • A 0.54μm^2 Self-Aligned, HSG Floating Gate Cell (SAHF Cell) for 256Mbit Flash Memories

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説明

256Mbitフラッシュメモリに適したセル面積 0.54μm^2のSAHFセル(Self-Aligned HSG Floating gate cell)を開発した。このセルは、フローティングゲートの上面にHSG (Hemispherical-gramed)ボリシリコンを適用することにより、フローティングゲート上面の実効的な面積を増加させた。この結果、ボリシリコン膜パターンに対して自己整合で形成された埋め込み拡散層と、1つのボリシリコン膜パターンよりなるフローティングゲートを持つメモリセルにおいても、十分高い容量比0.8を得ることができ工程を簡略化する事が可能となった。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571698602396228736
  • NII論文ID
    110003309680
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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