フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定

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タイトル別名
  • Measurement of Charge-Pumping current in a Flash EEPROM device

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説明

フラッシュEEPROMの高密度化、高集積化が進んでいるが、磁気ディスクに取って代わる際の問題点として書き換え回数に伴う劣化、特に書き換えによるSi-SiO_2界面準位密度の増加が指摘されている。筆者らはフラッシュEEPROMの書き換えにともなう界面特性の変化の測定にチャージポンピング法を用いることを考慮し、各種のバイアス電圧条件下でのチャージポンピング電流を測定した。この測定から測定条件によりドレイン、ソース近傍の界面準位での電流を分離して測定できることがわかった。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571980077322138880
  • NII論文ID
    110003262464
  • NII書誌ID
    AN10471452
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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