スズ添加によるシリコン固相成長促進現象
書誌事項
- タイトル別名
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- Enhanced solid phase crystal growth of Si by Sn doping
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説明
多結晶シリコンは,高性能薄膜トランジスタ用材料として重要であり,低温で良質な膜を形成する研究が盛んに行われている.本研究では,SiO_2上にSnドープアモルファスシリコン膜を形成後,低温でアニールし結晶化させて多結晶シリコンを得ることを試みた.固相結晶化温度はノンドープ膜では600℃であるが,10% Snドープ膜では600℃から300℃へと低温化することができた.SEMにより,グレインサイズは,約0.1μmであった.このように低温で結晶化がおころのは,Snドープにより結晶核を供給,またグレイン成長が促進されたと考えられる.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (396), 37-42, 1996-12-06
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1571980077372929152
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- NII論文ID
- 110003309610
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles