エルビウム添加シリコン酸化膜を用いた電流注入型赤外発光素子の低電圧化

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タイトル別名
  • Reduction in Operation Voltage of Current Injection Type Infrared Light Emitter Formed with Erbium-Doped Silicon Suboxide

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説明

シリコンフォトニクス実現に向けた赤外発光素子の開発を目指し,エルビウム添加シリコン酸化膜を発光層とする素子を試作した.本研究では素子の動作電圧の低減を目的として,狭バンドギャップの発光層を用いるとともに,それをn型及びp型のワイドギャップ半導体で挟むp-i-n構造を提案し,作製・評価を行った.その結果,従来の報告と比較して約半分のしきい値電圧(10〜15V)において1.5μm帯の赤外発光を室温で確認した.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571980077476681472
  • NII論文ID
    110007681462
  • NII書誌ID
    AA11412446
  • ISSN
    13452827
  • 本文言語コード
    ja
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • CiNii Articles
    • KAKEN

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