エルビウム添加シリコン酸化膜を用いた電流注入型赤外発光素子の低電圧化
書誌事項
- タイトル別名
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- Reduction in Operation Voltage of Current Injection Type Infrared Light Emitter Formed with Erbium-Doped Silicon Suboxide
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説明
シリコンフォトニクス実現に向けた赤外発光素子の開発を目指し,エルビウム添加シリコン酸化膜を発光層とする素子を試作した.本研究では素子の動作電圧の低減を目的として,狭バンドギャップの発光層を用いるとともに,それをn型及びp型のワイドギャップ半導体で挟むp-i-n構造を提案し,作製・評価を行った.その結果,従来の報告と比較して約半分のしきい値電圧(10〜15V)において1.5μm帯の赤外発光を室温で確認した.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C
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電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 93 (8), 264-265, 2010-08-01
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1571980077476681472
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- NII論文ID
- 110007681462
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- NII書誌ID
- AA11412446
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- ISSN
- 13452827
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- CiNii Articles
- KAKEN