TCADを構成するプロセスシミュレータの開発期間短縮手法の提案 : 標準ライブラリの開発とそれを用いた汎用プロセスシミュレータ

参考文献8件
  • 中村 光利
    (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
  • 中内 孝浩
    (株)東芝 半導体設計・評価技術センター
  • 福田 寿一
    (株)東芝 半導体設計・評価技術センター
  • 楠 直樹
    (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
  • 金村 貴永
    (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
  • 福田 早苗
    (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

書誌事項

タイトル別名
  • A Minimization Scheme for a period of Process Simulator Development in TCAD : Development of Simulation Standard Libraries and an Application

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説明

微細半導体素子の開発期間の短縮が叫ばれており, TCADに対してソフト開発効率の向上が強く求められている. 我々は, 各シミュレータで共通な部分を可能な限り独立させた標準ライブラリを9つ開発し, ソフト開発効率を向上させる事にした. 本報告では主にその標準ライブラリの中で最も重要な形状・メッシュに関連するライブラリについて述べる. そのライブラリは, 形状・メッシュの表現方法として新たに考案したDouble Winged Edgeデータ構造を用いており, そのデータ構造を操作する関数と, 丸め誤差や桁落ちに対する対策を十分に行った形状認識関数を有している. このライブラリによって形状・メッシュを操作する機能開発が非常に容易になった.

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参考文献 (8)*注記

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572261552245876864
  • NII論文ID
    110003294487
  • NII書誌ID
    AN10013323
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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