携帯電話パワーアンプMMIC用 E-Mode GaAs HJFET

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タイトル別名
  • E-mode GaAs HJFET for Power Amplifier MMIC of Handy Phones

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説明

携帯電話の長時間使用のためには、通話時間における低電力化(パワーアンプの電力効率向上)に加え、待ち受け時間時の低消費電力化が重要である。このためには、待ち受け時に、パワーアンプ(PA)のドレインリーク電流を遮断することが必要である。今回我々は、このために、ゲートバイアスをOVにした時のリーク電流を遮断できる完全エンハンスメント型GaAsヘテロジャンクションFET(E-HJFET)を新たに開発した。今回開発したE-HJFET(Vth=+0.23V)は、電源電圧3.5V、周波数836MHz、出力電力31.5dBmで電力付加効率(PAE)=79.6%と高効率を示し、かつゲートバイアスOVのリーク電流は0.7uA/mmと極めて小さい。本E-HJFETを用いたPA MMICを大信号シミュレーションにより回路設計した所、PAEが70%以上の高効率なPA MMICが得られることが示された。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572261552344793728
  • NII論文ID
    110003317253
  • NII書誌ID
    AN10013276
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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