書誌事項
- タイトル別名
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- Sensitivity Analysis of Device Characteristic in CMOS using TCAD
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説明
CMOSの回路設計においては、デバイス特性バラツキを適切に見積もることが性能向上のために必要とされているが、近年、微細化にともないプロセスは複雑化し、バラツキ予測は困難になってきている。このような状況の中で、LSIの設計期間の短縮と設計の質の向上を目的に、シミュレーションとRSF(レスポンス・サーフェス関数法)を利用した高精度デバイス特性バラツキ予測を行う手法を研究してきた。本論文では、サブミクロンCMOSにおいて、プロセスデータを基にデバイス特性バラツキ予測を行い、精度評価、デバイス特性バラツキの各プロセス工程別成分内訳表作成とワースト回路モデルパラメータ抽出・評価を行った。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術
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電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術 96 (259), 9-15, 1996-09-27
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572543027222422272
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- NII論文ID
- 110003294380
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- NII書誌ID
- AN10013323
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles
