Drung式SQUID素子の製作
書誌事項
- タイトル別名
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- Fabrication of Drung Type SQUID
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説明
バイアス電流の注入を非対称にしAPFの向きに注意してdV, dΦが大きい点に停留点ができるという所望の特性を持つDrung式SQUIDを製作した。Ic、Rのパラメータをふる実験を行なった結果、IcR積を知ることでVs、dV, dΦ、Φnなどの特性が予想できることが示された。またバッチごとのバラツキの測定により4.0fT/√Hz>程度の磁場分解能をもつSQUIDの量産可能性を示した。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス
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電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス 93 (279), 55-60, 1993-10-20
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572543027266872704
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- NII論文ID
- 110003187449
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- NII書誌ID
- AN10012885
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles