GaAs EA変調器駆動回路IC

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タイトル別名
  • GaAs EA Modulator Driver IC

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説明

2.5Gb/s EA変調器駆動ICを開発した。デバイスは高gmかつ高ftが実現できる0.4μm GaAs HIGFET(Heterostructure Insulated Gate Field Effect Transistor)を用いた。またIC出力のリンギング抑制の為、出力段FETのゲートとGND間に容量Cを配置した。ICの実装には14pinセラミックパッケージを用いた。試作評価の結果、出力振幅は最大2.6Vppでtr/tf(10%-90%)は約80ps、出力反射S22はDC近傍〜2.5GHzで-7.4dB以下と良好な値を得た。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572543027321195008
  • NII論文ID
    110003316952
  • NII書誌ID
    AN10013276
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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